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v印制蚀刻工艺流程:
v下料→板面清洁处理→涂湿膜→曝光→显影(贴干膜→曝光→显影)→蚀刻→去膜→进入下工序
v畋形电镀工艺过程概括如下:
v下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→涂湿膜→曝光→显影(贴干膜→曝光→显影)→形成负相图象
→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→进入下工序
图像转移有两种方法,一种是网印图像转移,一种是光化学图像转移。网印图像转移比光
化学图像转移成本低,在生产批量大的情况下更是如此,但是网印抗蚀印料通常只能制造大于 或等于o.25mm的印制导线,而光化学图像转移所用的光致抗蚀剂朗制造分辨率高的清晰图
像。本章所述内容为后一种方法。光化学图像转移需要使用光致抗蚀剂,臭氧陶瓷片生产,下面介绍有关光致抗蚀剂的一些基本知识



例1-4说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。
解:KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级(800V、通态平均电压组别E(0.7<UT≤0.8)普通晶闸管。
例1-5晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同?
解:由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能,所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同,采用的是平均电流,而不是有效值,又称为通态平均电流。所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下,晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中,当不超过额定结温且稳定时,所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。



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