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单片集成电路工艺
利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形,使元件按需要互连成完整电路,制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路,平面工艺技术也随之得到发展。例如,扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术,如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等;外延生长又采用超高真空分子束外延技术;采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜;互连细线除采用铝或金以外,还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜,以及多层互连结构等工艺。
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◎碳晶是一种改性提纯碳素颗粒发热产品,是以短丝碳纤维改性软化后进行提纯、球磨处理,制成的微晶颗粒,碳晶电热板 就是在碳素微晶颗粒中加入远红外发射剂以及限温剂等经过一次到两次压合,以特殊工艺与制备技术制造而成,一次压合工艺的成品寿命比两次压合工艺的长久,因为热胀冷缩原因,二次压合工艺碳晶容易分层。
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