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薄膜陶瓷基板

为了改善厚膜制程张网问题，合金发热体，以及多层叠压烧结后收缩比例问题，近来发展出薄膜陶瓷基板作为LED晶粒的散热基板。薄膜散热基板乃运用溅镀、电/电化学沉 积、以及黄光微影制程制作而成，具备：(1)低温制程(300℃以下)，避免了高温材料破坏或尺寸变异的可能性；(2)使用黄光微影制程，让基板上的线路 ；(3)金属线路不易脱落…等特点，因此薄膜陶瓷基板适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED，以及要求对位性高的共晶/覆晶封装制程。而目前 国内主要以瑷司柏电子与同欣电等公司，具备了专业薄膜陶瓷基板生产能力

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然而，现阶段的整个系统之散热瓶颈，多数发生在将热量从LED晶粒传导至其基板再到系统电路板为主。此部分的可能散热途径：其一为直接藉由晶粒基板散热至 系统电路板(如图三途径2所示)，在此散热途径里，其LED晶粒基板材料的热散能力即为相当重要的参数。另一方面，LED所产生的热亦会经由电极金属导线 而至系统电路板，一般而言，利用金线方式做电极接合下，散热受金属线本身较细长之几何形状而受限(如图三途径3所示)；因此，近来即有共晶 (Eutectic) 或覆晶(Flip chip)接合方式，此设计大幅减少导线长度，加热发热，并大幅增加导线截面积，如此一来，藉由LED电极导线至系统电路板之散热效率将有效提升(如图三途径4所 示)。

经由以上散热途径解释，可得知散热基板材料的选择与其LED晶粒的封装方式于LED热散管理上占了极重要的一环，后段将针对LED散热基板做概略说明。

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