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然而，现阶段的整个系统之散热瓶颈，多数发生在将热量从LED晶粒传导至其基板再到系统电路板为主。此部分的可能散热途径：其一为直接藉由晶粒基板散热至 系统电路板(如图三途径2所示)，在此散热途径里，其LED晶粒基板材料的热散能力即为相当重要的参数。另一方面，LED所产生的热亦会经由电极金属导线 而至系统电路板，一般而言，利用金线方式做电极接合下，散热受金属线本身较细长之几何形状而受限(如图三途径3所示)；因此，近来即有共晶 (Eutectic) 或覆晶(Flip chip)接合方式，此设计大幅减少导线长度，并大幅增加导线截面积，如此一来，藉由LED电极导线至系统电路板之散热效率将有效提升(如图三途径4所 示)。

经由以上散热途径解释，可得知散热基板材料的选择与其LED晶粒的封装方式于LED热散管理上占了极重要的一环，后段将针对LED散热基板做概略说明。

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低温共烧多层陶瓷

低温共烧多层陶瓷技术，以陶瓷作为基板材料，将线路利用网印方式印刷于基板上，再整合多层的陶瓷基板，最后透过低温烧结而成，而其国内主要制造商有璟德电 子、鋐鑫等公司。而低温共烧多层陶瓷基板之金属线路层亦是利用网印制程制成，同样有可能因张网问题造成对位误差，此外，多层陶瓷叠压烧结后，还会考量其收 缩比例的问题。因此，若将低温共烧多层陶瓷使用于要求线路对位精准的共晶/覆晶LED产品，将更显严苛。

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