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v印制蚀刻工艺流程:
v下料→板面清洁处理→涂湿膜→曝光→显影(贴干膜→曝光→显影)→蚀刻→去膜→进入下工序
v畋形电镀工艺过程概括如下:
v下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→涂湿膜→曝光→显影(贴干膜→曝光→显影)→形成负相图象
→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→进入下工序
图像转移有两种方法,一种是网印图像转移,一种是光化学图像转移。网印图像转移比光
化学图像转移成本低,在生产批量大的情况下更是如此,但是网印抗蚀印料通常只能制造大于 或等于o.25mm的印制导线,而光化学图像转移所用的光致抗蚀剂朗制造分辨率高的清晰图
像。本章所述内容为后一种方法。光化学图像转移需要使用光致抗蚀剂,下面介绍有关光致抗蚀剂的一些基本知识
三,几种常电阻器的结构,特点及应用
1.薄膜类 (1) 金属膜电阻器(型号 RJ) 真空条件下,FR4电阻片,在陶瓷表面上蒸发沉积一层金属薄 .
膜或合金膜形成的金属膜电阻器.
特点:工作环境温度范围广(-5~+125 0 C ) ,温度系数小,噪声低,体积小(与碳膜电阻器
相比,相同体积下,额定功率相差一倍左右) . 本类电阻器在稳定性要求较高的电路中广泛应用.额定功率为 0.125,0.25,0.5,1, 2W 等.标称阻值在 10~10M 之间.精度等级为±5%~±10%等.
(2) 金属氧化膜电阻器(型号 RY) 高温条件下,在磁体上以化学反应形式形成 .
以二氧化锡为主体的金属氧化层. 该种电阻器的膜层厚度比金属膜和碳膜电阻器均厚得多, 并与基体附着力强,它有极好的脉冲,高频和过负荷性:机械性能好,坚硬,耐磨;在空 气中不会再氧化,化学稳定性好.但阻值范围窄,温度系数比金属膜的大,外形和金属膜 电阻器相似.
(3) 碳膜电阻器(型号 RT) 这是一种应用最早,最广泛的薄膜型电阻器.它由 .
碳氢化合物在真空中通过高温热分解,使碳在瓷质基体面上沉积成导电膜而制成.本种电
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阻范围宽(10~10M)
.额定功率为
1/8~10W.精度等级为±5%,±10%,±20%.体积 比金属膜电阻器大,温度系数为负值.此外,特点是价格低廉,在各类电阻器中是最
廉价的一种,因此,在电子产品中被广泛使用.通常碳膜电阻器的外表以绿漆为特征.
2.合金类 (1)精密线绕电阻器(型号 RX) 在测量仪表或其它要求精高的放大电路中, .
可采用精密线绕电阻器,这种电阻器一般精度为±0.01%,可达 0.005%或更高,温度 系数小于
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