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v液体光致抗蚀剂感光的有效波长为300—400nm，因此对干膜和液体光致阻焊剂进行曝

光的设备亦可适用于湿膜曝光，曝光量100—300mJ／平方里米。

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因为烘烤后膜层的硬度还不足1H，因此曝光对位时需特别小心，以防划伤。虽对湿膜适用

的曝光量范围较宽，但为了增加膜层的抗蚀和抗电镀能力，以取高限曝光为宜。其感光速度与干膜相比要慢得多，电阻片，所以要使用高功率曝光机。

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当曝光过度时，正相导线图形易形成散光侧蚀，造成线宽减小，反之负相导线图形形成散 光扩大，线宽增加。当曝光不足时，膜层上出现针孔、砂眼等缺陷。

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一、厚膜混合集成电路

         在绝缘基板上（通常为陶瓷）用厚膜技术制作出无源元件及其互联线，再采用厚膜组装技术组装上半导体有源器件、IC芯片和其它无源器件（如薄膜电阻或多层陶瓷电容器）组成具有一定功能的混合微电路——厚膜混合集成电路。 “混合”是因为它们在一种结构内组合两种不同的工艺技术：半导体技术 (如：有源芯片器件)和厚膜技术（成批制造的无源元件）。

       

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