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DBC直接接合铜基板,将高绝缘性的Al2O3或AlN陶瓷基板的单面或双面覆上铜金属后,经由高温1065~1085℃的环境加热,使铜金属因高温氧化、扩散与Al2O3材质产生(Eutectic)
共晶熔体,使铜金与陶瓷基板黏合,形成陶瓷复合金属基板,最后依据线路设计,以蚀刻方式备制线路,
浆料及碳膜片制造工艺对探膜电位器噪声的影响
一、动噪声原理影响噪声的因素
所谓电位器动噪声,是当电位电刷运动时,由于接触电阻变化或轨道电阻变化引起的电输出中出现而不存在于输入之中的一些杂散变化。电位器产生的噪声包括三个部分,即热噪、电流噪声和动噪声。前两者是电刷不动时,电位器引出端1、3间出现的噪声,它和电阻器中存在的固定噪声一样,也是电阻体固有的,称为电位器的静噪声,其数值比较小,仅以微伏计。而后者数值比较大,一毫伏计,总的说来,动噪声的来源可归纳为以下几点:
碳膜片结构的不均匀
由于谈膜片厚度不一致,导电机颗粒随机分布,个部分的电阻率不规则二造成电阻梯度的不均匀变化,当电刷在谈膜片上运动时,就引起无规则的电压起伏,变形成了动噪声。
1、厚膜技术:用丝网印刷或喷涂等方法,将电子浆料涂覆在陶瓷基板上,制成所需图形,再经过烧结或聚合制造出厚膜元器件和集成电路的技术。
简称印—烧技术
2、厚膜技术的发展
厚膜技术起源于古代—唐三彩
?厚膜印—烧技术应用到电路上只有几十年的历史。
?1943年美国Centralab公司为炮弹的无线电引信生产了一种小型振荡-放大电路标志着厚膜混合微电路的诞生。
?1948年晶体管的发明使有源器件的体积大大缩小,促进了电路由体积型结构向平面型结构转化,产生了真正意义上的平面化的厚膜混合电路并开始在工业产品和消费类产品中应用。
?1959年大规模厚膜混合集成电路问世,并于1962年开始批量生产。
?1965年美国IBM公司首先将厚膜IC应用于电子计算机并获得成功,厚膜技术和厚膜IC进入成熟和大量应用。
?1975年厚膜导体浆料、介质浆料有了新发展,使细线工艺和多层布线技术有了突破,促进了厚膜IC的组装密度得到极大提高并使“二次集成”成为可能。
?1976年混合大规模厚膜IC出现。
?1980年至目前为超大规模混合集成阶段,现已能在厚膜技术基础上综合利用半导体技术、薄膜技术和其它技术成就,可以制造能完成功能很复杂的超大规模的功能块电路。
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