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2.元器件方面
•研制各种适合于厚膜电路组装的有源和
无源器件
•研制和发展厚膜敏感器件
3.电路方面:向超大规模方向发展
•利用厚膜的多层布线技术和高密度组装技术,提高电路的集成度。
4.厚膜技术方面
•研究和发展各种自动化高密度组装技术(突点技术、SMT技术)、焊接技术(激光微焊、电子束焊接)。
•发展厚膜与其他各种技术的组合技术
厚膜技术、薄膜技术、半导体微细加工技术、CAD、CAM、CAT
5.多芯片模块(MCM)—混合微电路的新品种
封装密度增加一个数量级、性能提高一个
数量级
MCM-D—通过薄膜淀积金属和多层介记载加工的多层基片。
MCM-C—通过陶瓷与金属共烧加工的多层基片。(HTCC、LTCC)
调试图1-4所示晶闸管电路,在断开负载Rd测量输出电压Ud是否可调时,发现电压表读数不正常,接上Rd后一切正常,请分析为什么?
图1-4 例1-2图
解:当S断开时,由于电压表内阻很大,即使晶闸管门极加触发信号,此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流,晶闸管无法导通,电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值,所以此读数不准。在S合上以后,Rd介入电路,晶闸管能正常导通,电压表的读数才能正确显示。
例1-3画出图1-49所示电路电阻Rd上的电压波形。
图1-5 习题1-3图
解:
v印制蚀刻工艺流程:
v下料→板面清洁处理→涂湿膜→曝光→显影(贴干膜→曝光→显影)→蚀刻→去膜→进入下工序
v畋形电镀工艺过程概括如下:
v下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→涂湿膜→曝光→显影(贴干膜→曝光→显影)→形成负相图象
→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→进入下工序
图像转移有两种方法,一种是网印图像转移,一种是光化学图像转移。网印图像转移比光
化学图像转移成本低,在生产批量大的情况下更是如此,但是网印抗蚀印料通常只能制造大于 或等于o.25mm的印制导线,而光化学图像转移所用的光致抗蚀剂朗制造分辨率高的清晰图
像。本章所述内容为后一种方法。光化学图像转移需要使用光致抗蚀剂,下面介绍有关光致抗蚀剂的一些基本知识
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