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例1-11单相半波整流电路,如门极不加触发脉冲;晶闸管内部短路;晶闸管内部断开,试分析上述3种情况下晶闸管两端电压和负载两端电压波形。
解:(1)晶闸管门极不加触发脉冲,即晶闸管呈阻断状态,可视作开路,所以输出电压和晶闸管两端电压波形如图1-7(a)所示。
(2)晶闸管内部短路,显然晶闸管两端电压为零,此时输出电压和晶闸管两端电压波形如图1-7(b)所示。
(3)晶闸管内部开路,输出电压和晶闸管两端电压波形如图1-7(c)所示。
图1-7 例1-11波形图
v液体光致抗蚀剂(简称湿膜)
v液体光致抗蚀剂(也称湿膜)是国外九十年代初发展的一种新型感光材料。随着表面贴装技术(SMT)和芯片组装技术(CMT)的发展,对印制板导线精细程度的要求越来越高,仍使用传统的干膜进行图像转移存在两个问题。一是干膜感光层上面的那层相对较厚(约为25μm)的聚酯膜降低了分辨率,使精细导线的制作受到限制。二是覆铜箔板表面,诸如、凹陷、划伤及玻璃纤维造成的凹凸不平等微小缺陷,使贴膜时干膜与铜箔无法紧密结合,形成界面性气泡,进而蚀刻时蚀刻液会从干膜底部渗入造成图像的断线、缺口,电镀时电镀溶液从干膜底部浸入造成渗镀。影响了产品的合格率。为解决上述问题,开发了液体光致抗蚀剂。
液体光致抗蚀剂主要由高感光性树脂、感光剂、色料、填料及少量溶剂组成。可用网印方式
涂覆,用稀碱水溶液显影,可抗酸性及弱碱性蚀刻液蚀刻,可抗酸性镀铜、氟硼酸镀锡铅、酸性 镀镍、微酸性镀金等溶液的电镀。
v其应用工艺流程为:
基板前处理→涂覆→烘烤→曝光→显影→干燥→蚀刻或电镀→去膜
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光的设备亦可适用于湿膜曝光,曝光量100—300mJ/平方里米。
v
因为烘烤后膜层的硬度还不足1H,因此曝光对位时需特别小心,以防划伤。虽对湿膜适用
的曝光量范围较宽,但为了增加膜层的抗蚀和抗电镀能力,以取高限曝光为宜。其感光速度与干膜相比要慢得多,所以要使用高功率曝光机。
v
当曝光过度时,正相导线图形易形成散光侧蚀,造成线宽减小,反之负相导线图形形成散 光扩大,线宽增加。当曝光不足时,膜层上出现、砂眼等缺陷。
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