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(6)多层布线设计
多层布线时,为了防止上下层导体短路,介质印刷两次,第二层缩小 0.1毫米(4mil),如下图所示:
(7)两种导体互搭时,搭接区的选择 当一个基片上,需要两种导体互搭时(如图1),为了保证搭接的可靠性,
考虑到印刷时位置偏差,规定搭接区域应≥0.4毫米(16 mil)。
8)电阻端头设计原则
印刷电阻器一般尽可能布置得远离基片边缘,并且大功率电阻应当均匀分布在基片上,电阻的取向应当与基片边缘平行(X或Y方向)。 电阻与电极的搭接,其搭接长度一般应等于0.3毫米(或12mil),并留有比电阻宽出0.2毫米(或8 mil)的余量(如图2)。
(9)集成芯片衬垫的设计
集成芯片衬垫,每边的尺寸应比芯片尺寸大0.2毫米(8mil),这样易于装配。为了节省金及粘结芯片的牢固性,可以将衬垫设计成网状结构(如图3):
(10)芯片和基片上焊点之间的距离为1.5毫米(或60 mil),但不超过 3毫米(或120mil)。
(11)带孔基片上有关孔的设计:
有时一种电路需两面印刷导体,正、反两面导体需互连,这时孔的几何尺寸 应≥1/2基片厚度(如图4) 否则,导体浆料容易堵塞。
(12)金丝球焊导体面积的选择:
一般应选择≥0.4mm×0.4mm.( 或16 mil×16 mil)。
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(5)电阻的几何尺寸:0.8×0.8 (mm)2(或32mil×32mil)
(6)电阻印刷次数的规定:
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一般情况下,同一版图中印刷电阻浆料的种类不得多于3种。
(
(10)紧靠介质边缘附近电阻的设计:由于介质层比较厚,致使印刷时电阻也较厚,使用同一方阻的几个电阻中靠近介质层的电阻值较低,为了保证印刷时阻值的命中率,该电阻的目标值与标称值的比应提高5~20%进行设计。(一般当电阻与介质之间距离≤1.0mm(40mil)时采用本项规定)如图11所示:
4介质层的印刷
介质层印刷时,上层介质的每边应比下层介质少0.1mm(4mil)。
如下图所示:
5 保护釉设计
(1)保护釉尺寸大小的选择
保护釉图形的窗口应比焊区尺寸大于或等于0.1mm(4mil)。
(2)禁止将保护釉作为绝缘介质使用。
6 光绘胶片的设计
在版图实际轮廓四周≥5mm(200mil)处绘出边框、标志符号和有关数据。
7 关于图形定位角的规定图纸应有明显的定位角,用符号“+”表示,默认为图纸的左下角(背面为右下角)。
8 两面印刷时定位角的规定为了保证基片两面印刷时采用同一定位角,图形应如图13所示:
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。
种类
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电子交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
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靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源镀膜均匀,非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜,非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同,大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等,两极磁力线闭合于靶面,很好地将电子/等离子体约束在靶面附近,增加碰撞几率,提高了离化效率,因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电,靶材利用率相对较高。
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