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厚膜电路版图常用设计规则
1布图前的准备
(1)仔细了解电路特点和主要技术条件,并按相关规范整理出原理图。
(2)明确所用元器件型号、尺寸、性能参数。
2布图
(1)布线
布线时,导电带应与基片边缘相互平行或45°斜线,使图形显得整齐、规则
和便于制网和印刷。
(2)设计图形尺寸的选择:
为了保证因基片“负”公差而使导体图形超出基片边缘的情况发生,设计面积
应按基片“负”公差尺寸进行设计。
(3)留边量大小的确定。
根据印刷工艺要求和基片垂直度及尺寸公差,除按上述“负”公差设计外,
还应留至少0.2毫米(8 mil)的余量。
(4)导电带线宽和间距的选择:
对于96%氧化铝陶瓷基片,若印刷金导电带,线宽和间距一般为0.3毫米
(12 mil)。若印刷钯银导电带,线宽和间距一般为0.4毫米(16 mil)。
(5)焊区面积的选择:
可参照EDA系统的数据库所提供的标准尺寸。
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微型电容器的极板对导电薄膜的要求略有不同,常用铝或钽作电容器的下极板,铝或金作上极板。
对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳定性能好。的是铬硅系和钽基系。在铬硅系中有镍-铬(Ni-Cr)、铬-钴(Cr-Co)、镍-铬-硅(Ni-Cr-Si)、铬-硅(Cr-Si)、铬-氧化硅(Cr-SiO)、镍铬-二氧化硅(NiCr-SiO2)。属于钽基系的有钽(Ta)、氮化钽(Ta2N)、钽-铝-氮(Ta-Al-N)、钽-硅(Ta-Si)、钽-氧-氮(Ta-O-N)、钽-硅-氧(Ta-Si-O)等。
对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小,用得的仍是硅系和钽系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化钽(Ta2O5)和它们的双层复合结构:Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。有时还用氧化钇(Y2O3),氧化铪(HfO2)和钛酸钡(BaTiO3)等。
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为了减小薄膜网路中的寄生效应,绝缘薄膜的介电常数应该很小,因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、氮化硅 (Si3N4)等,适合于微波电路。
发动机发生爆震时,爆震传感器把发动机的机械振动转变为信号电压送至ECU。ECU根据其内部事先储存的点火及其他数据,及时计算修正点火提前角,去调整点火时间,防止爆震的发生。
爆震传感器也有多种类型。常见的有压电式和瓷质伸缩式两大类。其中压电式共振型传感器应用,它一般安装在发动机机体上部,利用压电效应把爆震时产生的机械振动转变为信号电压。当产生爆震时的振动频率(约6000Hz左右)与压电效应传感器自身的固有频率一致时,即产生共振现象。这时传感器会输出一个很高的爆震信号电压送至ECU,ECU及时修正点火时间,避免爆震的产生
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