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例1-11单相半波整流电路,如门极不加触发脉冲;晶闸管内部短路;晶闸管内部断开,试分析上述3种情况下晶闸管两端电压和负载两端电压波形。
解:(1)晶闸管门极不加触发脉冲,即晶闸管呈阻断状态,可视作开路,所以输出电压和晶闸管两端电压波形如图1-7(a)所示。
(2)晶闸管内部短路,显然晶闸管两端电压为零,此时输出电压和晶闸管两端电压波形如图1-7(b)所示。
(3)晶闸管内部开路,输出电压和晶闸管两端电压波形如图1-7(c)所示。
图1-7 例1-11波形图
v.溶剂型干膜
使用作显影剂和去膜剂,例如用1.1.1三氯显影,去膜,这两种溶
剂遇火不燃烧。醋酸丁酯等也可用作显影和去膜,但烧,很不安全。 溶剂型干膜是美国早研制并投入大量生产的一种干膜,我国早期也研制过。它的优点是技术成熟,工艺稳定,耐酸耐碱,应用范围广。但是,使用这种干膜需要消耗大量的,需要价格昂贵的显影和去膜设备及辅助装置,生产成本高,溶剂有毒,污染环境,所以日趋以水溶 性干膜所取代,仅在特殊要求时才使用。
v
2. 水溶型干膜
它包括半水溶性和全水溶性两种。半水溶性干膜显影剂和去膜剂以水为主,并加有2~15%的。全水溶性的干膜显影剂和去膜剂是碱的水溶液。半水溶性干膜成本较低,而全水溶性干膜的成本,毒性亦小。
v印制蚀刻工艺流程:
v下料→板面清洁处理→涂湿膜→曝光→显影(贴干膜→曝光→显影)→蚀刻→去膜→进入下工序
v畋形电镀工艺过程概括如下:
v下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→涂湿膜→曝光→显影(贴干膜→曝光→显影)→形成负相图象
→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→进入下工序
图像转移有两种方法,一种是网印图像转移,一种是光化学图像转移。网印图像转移比光
化学图像转移成本低,在生产批量大的情况下更是如此,但是网印抗蚀印料通常只能制造大于 或等于o.25mm的印制导线,而光化学图像转移所用的光致抗蚀剂朗制造分辨率高的清晰图
像。本章所述内容为后一种方法。光化学图像转移需要使用光致抗蚀剂,下面介绍有关光致抗蚀剂的一些基本知识
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