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3 电阻设计
(1)阻值范围和方阻:
阻值范围:1Ω/□--1MΩ/□ ,低于1Ω/□的电阻,可以用钯-银浆料作低 阻材料,其方阻为0.015Ω/□。为了设计规范化,采用1系列的方阻,即: 1Ω/□,100Ω/□,1KΩ/□,10KΩ/□,100KΩ/□,1MΩ/□等7种浆料, 供设计使用。
(2)设计值即靶值的选择:
一般选择80%的标称值。
(3)对于各种几何图形的电阻,靶值选择原则:
就钯—银端头而论:
长∶宽≤1/3的电阻 目标值为70~75%标称值
长∶宽=0.8~1.2的电阻 目标值为80~90%标称值
长∶宽=1.3~2.5的电阻 目标值为80%标称值
长∶宽=2.8~3.5或更大的电阻 目标值为70~75%标称值
对于金端头,相应减少5%,也就是说,金端头的阻值比钯—银阻值高5%左右。
(4)功率电阻的设计
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对于1/8W以上的功率电阻,结构形式如图5:
微型电容器的极板对导电薄膜的要求略有不同,常用铝或钽作电容器的下极板,铝或金作上极板。
对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳定性能好。的是铬硅系和钽基系。在铬硅系中有镍-铬(Ni-Cr)、铬-钴(Cr-Co)、镍-铬-硅(Ni-Cr-Si)、铬-硅(Cr-Si)、铬-氧化硅(Cr-SiO)、镍铬-二氧化硅(NiCr-SiO2)。属于钽基系的有钽(Ta)、氮化钽(Ta2N)、钽-铝-氮(Ta-Al-N)、钽-硅(Ta-Si)、钽-氧-氮(Ta-O-N)、钽-硅-氧(Ta-Si-O)等。
对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小,用得的仍是硅系和钽系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化钽(Ta2O5)和它们的双层复合结构:Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。有时还用氧化钇(Y2O3),氧化铪(HfO2)和钛酸钡(BaTiO3)等。
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为了减小薄膜网路中的寄生效应,绝缘薄膜的介电常数应该很小,因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、氮化硅 (Si3N4)等,适合于微波电路。
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