节气门电阻片阻值-乐清节气门电阻片-厚博电子的详细描述：

对于96%陶瓷基片，按100mw/mm2计算电阻面积。功率电阻的调阻要求：调阻后，留下电阻的窄处应≥1/2电阻宽度，即d≥1/2D。

(5)电阻的几何尺寸：0.8×0.8 (mm)2（或32mil×32mil）

(6)电阻印刷次数的规定：

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  一般情况下，同一版图中印刷电阻浆料的种类不得多于3种。

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(10)紧靠介质边缘附近电阻的设计：由于介质层比较厚，致使印刷时电阻也较厚，使用同一方阻的几个电阻中靠近介质层的电阻值较低，为了保证印刷时阻值的命中率，该电阻的目标值与标称值的比应提高5～20%进行设计。（一般当电阻与介质之间距离≤1.0mm（40mil）时采用本项规定）如图11所示：

4介质层的印刷

介质层印刷时，上层介质的每边应比下层介质少0.1mm（4mil）。

如下图所示：

5 保护釉设计

(1)保护釉尺寸大小的选择

  保护釉图形的窗口应比焊区尺寸大于或等于0.1mm（4mil）。

(2)禁止将保护釉作为绝缘介质使用。  

6 光绘胶片的设计

在版图实际轮廓四周≥5mm（200mil）处绘出边框、标志符号和有关数据。

7 关于图形定位角的规定图纸应有明显的定位角，用符号“+”表示，默认为图纸的左下角（背面为右下角）。

8 两面印刷时定位角的规定为了保证基片两面印刷时采用同一定位角，图形应如图13所示：

微型电容器的极板对导电薄膜的要求略有不同，常用铝或钽作电容器的下极板，铝或金作上极板。

　　对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳定性能好。的是铬硅系和钽基系。在铬硅系中有镍-铬(Ni-Cr)、铬-钴(Cr-Co)、镍-铬-硅(Ni-Cr-Si)、铬-硅(Cr-Si)、铬-氧化硅(Cr-SiO)、镍铬-二氧化硅（NiCr－SiO2）。属于钽基系的有钽(Ta)、氮化钽(Ta2N)、钽-铝-氮(Ta－Al－N)、钽-硅(Ta-Si)、钽-氧-氮(Ta-O-N)、钽-硅-氧(Ta-Si-O)等。

　　对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小,用得的仍是硅系和钽系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化钽(Ta2O5)和它们的双层复合结构：Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。有时还用氧化钇(Y2O3)，氧化铪(HfO2)和钛酸钡(BaTiO3)等。

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　　为了减小薄膜网路中的寄生效应，绝缘薄膜的介电常数应该很小,因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、氮化硅 (Si3N4)等，适合于微波电路。

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