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主要成分为Al2O3,山西厚膜电路,Al2O3含量越(电性能、机械强度、表面光洁度等)越好。99.5% Al2O3瓷电性能优良、光洁度较高,适于低损耗、高频电路应用,是目前微波集成电路应用广泛的基板材料。但其烧结温度高、价格贵,基板与厚膜的结合也较差,故常采用94~96% Al2O3瓷(晶粒尺寸3~5μm),其烧结温度在1700℃以上,成本较高。85瓷和75瓷性能较前者稍差,但成本较低,所以目前国内外也有采用。
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薄膜陶瓷基板
为了改善厚膜制程张网问题,陶瓷厚膜电路,以及多层叠压烧结后收缩比例问题,近来发展出薄膜陶瓷基板作为LED晶粒的散热基板。薄膜散热基板乃运用溅镀、电/电化学沉 积、以及黄光微影制程制作而成,PCB厚膜电路,具备:(1)低温制程(300℃以下),避免了高温材料破坏或尺寸变异的可能性;(2)使用黄光微影制程,让基板上的线路 ;(3)金属线路不易脱落…等特点,因此薄膜陶瓷基板适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED,厚膜电路加工,以及要求对位性高的共晶/覆晶封装制程。而目前 国内主要以瑷司柏电子与同欣电等公司,具备了专业薄膜陶瓷基板生产能力
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Die)而形成一LED晶片( chip),而后再将LED 晶片固定于系统的电路板上(System circuit board)。因此,LED可能的散热途径为直接从空气中散热(如图三途径1所示),或经由LED晶粒基板至系统电路板再到大气环境。而散热由系统电路板 至大气环境的速率取决于整个发光灯具或系统之设计。
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